Dépôt par pulvérisation PVD

Oct 27, 2025|

Dépôt par pulvérisation

Principe : Dans une chambre à vide, un gaz inerte (tel que l'Ar) est ionisé par un champ électrique à haute tension-pour générer du plasma. Les ions Ar⁺ chargés positivement, sous l'accélération du champ électrique, bombardent la surface du matériau cible. Grâce au transfert d'impulsion, les atomes du matériau cible sont « pulvérisés » (à l'état gazeux) puis déposés sur la surface du substrat pour former un film. Principaux avantages : Forte adhérence entre le film et le substrat, grande uniformité de composition (proche de la composition du matériau cible) et large gamme de matériaux déposables (métaux, alliages, céramiques, composés, etc.). Technologies grand public La pulvérisation magnétron (pulvérisation magnétron) est la technologie de pulvérisation cathodique la plus largement utilisée dans les semi-conducteurs. En confinant la trajectoire de mouvement des électrons à travers un champ magnétique, il prolonge le temps de collision entre les électrons et le gaz, augmente la densité du plasma, améliorant ainsi l'efficacité de la pulvérisation cathodique et le taux de dépôt de couches minces, tout en réduisant l'augmentation de la température du substrat. Convient aux substrats semi-conducteurs sensibles à la chaleur (tels que les plaquettes de silicium).

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